SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究 百度学术
本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结
获取价格
进一步探索
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdf知网空间 学位论文下载，博士论文，硕士论文
单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展|sic|磨料|金刚石|铁
2020年5月6日 化学机械抛光 (CMP)是目实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法。 我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并
获取价格
进一步探索
半导体行业专题报告：化学机械抛光CMP深度研究 vzkoo化学机械抛光CMP技术概述.pptx-原创力文档
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 百度学术
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液,混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进
获取价格
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究_真空技术_新闻
2021年11月24日 最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明：固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上，固结磨料抛光垫，可大幅度提高材料去除
获取价格
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究_百度文库
最终选用金刚石磨料作为 S i C单 晶片 的化学机械抛光磨 料。 结 果表 明 ： 固结磨料 C M P的材料去除率是游离磨料 的 3倍 以上 ， 固结磨料抛光垫， 可大 幅度提高材料去除效
获取价格
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展-期刊-钛学术
“单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展”出自《哈尔滨工业大学学报》期刊2018年第7期文献，主题关键词涉及有碳化硅(SiC)、化学机械抛光(CMP)、电化学机械抛
获取价格
单晶SiC基片高效超精密磨粒加工技术基础研究_百度百科
目SiC单晶的超精密加工主要沿用半导体硅片的游离磨料研磨和化学机械抛光方法，但SiC的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，且化学稳定性非常好，常温下几乎不与其它物质
获取价格
固结(堆积)磨料的应用|金刚石|基体|玻璃|抛光|工件_网易订阅
2022年12月5日 固结（堆积）磨料的应用 郑州磨料磨具磨削研究所 王光祖 鉴碳材料有限公司 张洪涛 李小童 何谓堆积（固结）磨料？堆积磨料即通过特殊的造粒方式，用高强度粘结剂把细颗粒磨料粘接起来，使其形成一个独立的堆积组合体，这种组合体通常也具有磨具的三要素---磨料、结合剂和极细小气孔，可
获取价格
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdf 原创力文档
2019年5月25日 压力下进行化学机械抛光，基于 Fe 和 H O 反应 2 2 （Fenton反应），分解产生了强氧化性的 OH，促进 － 2 单晶SiC CMP 增效技术研究进展 表面氧化生成易于去除的SiO ．. 尽管获得了原子级 2 － － 光滑的表面形貌，但 SiC Si 面的材料去除率＜ 2．1 催化辅助SiC CMP增效
获取价格
热固型固结磨料研磨抛光垫的制备及其评价---优秀毕业论文
2014年6月24日 固结磨料化学机械抛光技术（FA-CMP）作为一种高精度和高表面质量完整性的加工技术得到越来越广泛的应用。. 基于这一背景，本文开展热固型固结磨料研磨抛光垫的制备及性能评价方面的研究，主要工作和取得的成果如下：1、开展了热固型亲水性固结磨
获取价格
工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。
获取价格
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 哈尔滨工业
2019年10月24日 2.3 固结磨料抛光与游离磨粒(三体磨损)相比，固结磨料(二体磨损)的研抛可控性好，能高效获得超精密研抛表面，同时可节省加工时间和成本. 2015年，台湾国立勤益科技大学的Tsai等 [56] 研制了固结金刚石磨粒的抛光垫，在含Al 2 O 3 自由磨粒和KMnO 4 的
获取价格
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 电子工程专辑 EE
2022年10月18日 摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化 硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
获取价格
SiC单晶材料加工工艺研究进展 豆丁网
2015年5月30日 材料导报A：综述篇2014SiC单晶材料加工工艺研究进展。. 西安工业大学机电工程学院，西安710032；2陕西师范大学，西安710062)摘要SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料，其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点，突表现为加工效率低、
获取价格
固结磨料研磨与抛光的研究现状与展望_李立明_百度文库
固结磨料研磨与抛光的研究现状与展望_李立明. 为解决游离磨料研磨抛光过程中暴露出来的众多 缺点,固结磨料抛光技术应运而生 。. 这种技术把磨料 固结在抛光垫中,抛光液由去离子水和简单的化学试 剂组成,不再添加磨粒 (如图 3)。. 固结磨料 CMP抛光 时
获取价格
金刚石化学机械抛光研究现状|磨料|石墨|基体_网易订阅
2021年7月30日 金刚石化学机械抛光研究现状. 摘 要： 金刚石由于其独特的性质成为未来科技的重要材料，但较差的表面质量会影响其在高科技领域的应用，因此实现金刚石超精密加工是提高金刚石应用的关键｡化学机械抛光 ( CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工
获取价格
SiC晶片加工技术现状与趋势_真空技术_新闻动态_深圳市鼎达
2021年11月24日 介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。. 摘 要： SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电
获取价格
SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 豆丁网
2011年5月8日 1 SiC单晶片超精密加工发展现状 超精密加工的主要手段是超精密抛光。. 超光滑 表面是指表面粗糙度均方根值小于 nm的表面,具有表面无任何损伤、变质,亚表面无破坏,无表面应力 的特征。. 目已开发了一系列的无加工变质层、无表 面损伤的超精密加工方法
获取价格
CMP Slurry均一性的一体化解决方案_化工仪器网
2023年2月1日 CMP过程中将Slurry（抛光液，也称抛光液）滴在晶圆表明，用抛光垫以一定的速度进行抛光 ，使得晶圆表面平坦化 SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计[D]. 河南工业大学 [4] 王方. 蓝宝石化学机械抛光液用硅溶胶制备工艺研究 [D].贵州大学
获取价格
克服那个碳化硅晶片抛光难题_化合物半导体市场-商业新知
2022年6月30日 然而SiC具有的极高硬度和很强的化学稳定性给SiC的无损高质量抛光带来了极大的挑战。. 众所周知，碳化硅的莫氏硬度达到9.25-9.5，用传统的CMP抛光移除材料1-2μm深度，需要数十小时才能完成，不仅影响产能，也导致成本居高不下。. 据台湾工研院测
获取价格
CMP Slurry均一性的一体化解决方案-化工仪器网-手机版
2023年2月1日 CMP过程中将Slurry（抛光液，也称抛光液）滴在晶圆表明，用抛光垫以一定的速度进行抛光 ，使得晶圆表面平坦化 SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计[D]. 河南工业大学 [4] 王方. 蓝宝石化学机械抛光液用硅溶胶制备工艺研究 [D].贵州大学
获取价格
金刚石化学机械抛光研究现状 电子工程专辑 EE Times China
2021年7月29日 化学机械抛光 ( CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工艺，能够实现金刚石的超精密加工｡. 介绍了现有的金刚石加工方法和金刚石化学机械抛光的研究现状，并与其他的加工方法 (机械抛光､摩擦化学抛光､热化学抛光等)进行了对比，其他加工方法
获取价格
碳化硅的化学机械抛光-电子工程专辑
2021年9月23日 无论你是数据库内核研发、DBA、还是后端研发，能够手写一套自己的数据库系统，都是你突破技术发展瓶颈的有效途径。[11章]技术大牛成长课,从0到1带你手写一个数据库系统课程将带你从架构设计 ，原理剖析，再到源码的实现，手把手带你构建一套完整的数据库系统，让你深度掌握数据库底层，及
获取价格
用于蓝宝石材料加工的新型超精密抛光技术及复合抛光技术
1 Zang Jianglong. Study on mechanical polishing technology of single crystal sapphire substrate consolidation abrasive[D].Dalian:Dalian University of Technology,2013(in Chinese). 臧江龙.单晶蓝宝石基片固结磨料机械化学抛光技术[D].大连:大连理工大学,2013. 2 Liang Z, Wang X, Wu Y, et al. Experimental study on brittle-ductile transition in elliptical
获取价格
CMP Slurry均一性的一体化解决方案（短篇）_化工仪器网
2023年2月23日 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术被誉为是当今时代能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面平坦化的重要技术，CMP的效果直接影响到晶圆、芯片最终的质量和良 率1。. CMP是通过表面化学作用和机械研磨相结合的技术来实现晶圆表面平坦化。. CMP过程
获取价格抛光垫_百度百科
2022年8月5日 抛光垫又称抛光皮，抛光布，抛光片，化学机械 抛光 中决定表面质量的重要辅料。. 中文名. 抛光垫. 外文名. Polishing pad, Polishing cloth. 按是否有磨料. 分为有磨料抛光垫和无磨料抛光垫. 按表面结构. 平面型、网格型和螺旋线型.
获取价格
【干货】四大抛光工艺优劣势对比，你了解多少？ 知乎
2020年8月19日 相比于传统的抛光工艺，纳米抛光优势在于：. 1. 非常环保. 纳米抛光液非常环保，其废液可以直接排放而不会造成污染，也可以稍作处理回收利用。. 并且对加工环境无污染，适应绿色制造的发展方向；. 2. 简单操作. 等离子纳米抛光采用专门的自动化控制设备
获取价格